半导体物理学简明教程 第2版

1 (p1): 绪论
11 (p2): 第1章 半导体的物质结构和能带结构
11 (p2-1): 1.1 半导体的原子结合与晶体结构
11 (p2-1-1): 1.1.1 元素的电负性与原子的结合力
12 (p2-1-2): 1.1.2 共价结合与正四面体结构
14 (p2-1-3): 1.1.3 主要半导体的晶体结构
17 (p2-2): 1.2 半导体的电子状态和能带
17 (p2-2-1): 1.2.1 能级与能带
18 (p2-2-2): 1.2.2 零势场与周期势场中的电子状态
20 (p2-2-3): 1.2.3 能带的填充与晶体的导电性及空穴的概念
22 (p2-3): 1.3 半导体中载流子的有效质量
22 (p2-3-1): 1.3.1 能带极值附近的E（k）函数
23 (p2-3-2): 1.3.2 电子和空穴的有效质量
24 (p2-3-3): 1.3.3 各向异性半导体中载流子的有效质量
26 (p2-4): 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级
26 (p2-4-1): 1.4.1 杂质的施、受主作用及其能级
30 (p2-4-2): 1.4.2 深能级杂质
32 (p2-4-3): 1.4.3 缺陷的施、受主作用及其能级
35 (p2-5): 1.5 典型半导体的能带结构
35 (p2-5-1): 1.5.1 能带结构的基本内容及其表征
36 (p2-5-2): 1.5.2 主要半导体的能带结构
39 (p2-6): 1.6 半导体能带工程概要
39 (p2-6-1): 1.6.1 半导体固溶体
40 (p2-6-2): 1.6.2 利用固溶体技术剪裁能带结构
43 (p2-6-3): 1.6.3 能带结构的量子尺寸效应
45 (p2-7): 习题
47 (p3): 第2章 半导体中的载流子及其输运性质
47 (p3-1): 2.1 载流子的漂移运动与半导体的电导率
47 (p3-1-1): 2.1.1 欧姆定律的微分形式
48 (p3-1-2): 2.1.2 半导体的电导率
48 (p3-2): 2.2 热平衡状态下的载流子统计
48 (p3-2-1): 2.2.1 热平衡状态下的电子和空穴
51 (p3-2-2): 2.2.2 费米分布函数与费米能级
52 (p3-2-3): 2.2.3 费米分布函数与玻耳兹曼分布函数
53 (p3-2-4): 2.2.4 非简并半导体的载流子密度
55 (p3-2-5): 2.2.5 本征半导体的载流子密度
57 (p3-3): 2.3 载流子密度对杂质和温度的依赖性
57 (p3-3-1): 2.3.1 杂质电离度
58 (p3-3-2): 2.3.2 非简并半导体载流子密度随温度的变化
65 (p3-3-3): 2.3.3 简并半导体
71 (p3-4): 2.4 载流子迁移率
71 (p3-4-1): 2.4.1 恒定电场下载流子漂移运动的微观描述
73 (p3-4-2): 2.4.2 决定载流子迁移率的物理因素
73 (p3-4-3): 2.4.3 有效质量各向异性时的载流子迁移率
75 (p3-5): 2.5 载流子散射及其对迁移率的影响
75 (p3-5-1): 2.5.1 散射的物理本质
75 (p3-5-2): 2.5.2 电离杂质散射及其对迁移率的影响
77 (p3-5-3): 2.5.3 晶格振动散射及其对迁移率的影响
81 (p3-5-4): 2.5.4 其他散射机构
81 (p3-6): 2.6 半导体的电阻率及其与掺杂浓度和温度的关系
81 (p3-6-1): 2.6.1 半导体的电阻率
82 (p3-6-2): 2.6.2 电阻率与掺杂浓度的关系
83 (p3-6-3): 2.6.3 电阻率与温度的关系
84 (p3-7): 2.7 强电场中的载流子输运
84 (p3-7-1): 2.7.1 强电场效应
85 (p3-7-2): 2.7.2 热电子与速度饱和
87 (p3-7-3): 2.7.3 负微分迁移率
88 (p3-7-4): 2.7.4 耿氏效应及其应用
89 (p3-7-5): 2.7.5 强电场下的速度过冲和准弹道输运
91 (p3-8): 2.8 半导体的热导率
92 (p3-8-1): 2.8.1 热导率的定义
92 (p3-8-2): 2.8.2 半导体中的导热机构
93 (p3-8-3): 2.8.3 维德曼-弗兰茨定律
94 (p3-9): 习题
96 (p4): 第3章 非热平衡状态下的半导体
96 (p4-1): 3.1 半导体的非热平衡状态
96 (p4-1-1): 3.1.1 额外载流子的产生与复合
98 (p4-1-2): 3.1.2 额外载流子的寿命
100 (p4-1-3): 3.1.3…